3-дюймовый SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,001-0,005 ОМ* см/модель = один кислорода/Кремниевая пластина толщиной 400um
  • 3-дюймовый SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,001-0,005 ОМ* см/модель = один кислорода/Кремниевая пластина толщиной 400um
  • 3-дюймовый SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,001-0,005 ОМ* см/модель = один кислорода/Кремниевая пластина толщиной 400um
  • 3-дюймовый SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,001-0,005 ОМ* см/модель = один кислорода/Кремниевая пластина толщиной 400um
  • 3-дюймовый SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,001-0,005 ОМ* см/модель = один кислорода/Кремниевая пластина толщиной 400um
  • 3-дюймовый SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,001-0,005 ОМ* см/модель = один кислорода/Кремниевая пластина толщиной 400um
  • 3-дюймовый SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,001-0,005 ОМ* см/модель = один кислорода/Кремниевая пластина толщиной 400um

3-дюймовый SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,001-0,005 ОМ* см/модель = один кислорода/Кремниевая пластина толщиной 400um

6 418 руб.

Описание

Храктеристика устройства:

1) Материал: Кремний высокой чистоты
2 размера: 3 дюйма
3 диаметр и допуск: 76,2 ± 0,3 мм
4 Толщина: 400um
5 толщина оксида: 500 нм
6 Модель: P
7 характеристики: одиночный кислород
8: сопротивление 0,001-0,005 Омега/см
9 направление: <100>
10 полировка: диоксид кремния
11 основных применений: PVD/CVD покрытие, магнетронное напыление, XRD, SEM, прирост атомной силы образца, инфракрасная спектроскопия, флуоресцентная спектроскопия, подложка, подложка, молекулярный пучок эпитаксиального роста полупроводникового кристаллического рентгеновского анализа.

3-дюймовый SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,001-0,005 ОМ* см/модель = один кислорода/Кремниевая пластина толщиной 400um3-дюймовый SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,001-0,005 ОМ* см/модель = один кислорода/Кремниевая пластина толщиной 400um3-дюймовый SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,001-0,005 ОМ* см/модель = один кислорода/Кремниевая пластина толщиной 400um3-дюймовый SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,001-0,005 ОМ* см/модель = один кислорода/Кремниевая пластина толщиной 400um3-дюймовый SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,001-0,005 ОМ* см/модель = один кислорода/Кремниевая пластина толщиной 400um3-дюймовый SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,001-0,005 ОМ* см/модель = один кислорода/Кремниевая пластина толщиной 400um3-дюймовый SIO2 диоксид кремния вафли/удельного сопротивления 0,001-0,005 ОМ* см/модель = один кислорода/Кремниевая пластина толщиной 400um

Характеристики

Номер модели
Crystal orientation 100/ Model P
Габаритные размеры
Oxide thickness 500nm
Стандартный
GB
Наличие стандарта
Стандарт
Материал
Monocrystalline silicon

Сопутствующие товары